Кремниевые подложки с нанокристаллической структурой обладают рядом свойств, отличающих их от монокристаллических и поликристаллических подложек. В частности, при лазерном воздействии они могут становиться высокоэффективными эмиттером ионов предварительно адсорбированных на их поверхности химических соединений. Другим свойством кремниевых подложек с нанокристаллической структурой является интенсивная фотолюминесценция, которая может быть использована для создания светоизлучающих устройств.
Изготовление ИС по планарной технологии включает три основных этапа:
1. производство полупроводниковых монокристаллических пластин, называемых подложками, со строго контролируемой кристаллической структурой и кристаллографической ориентацией и максимально возможной степенью очистки от загрязнений;
2. обработка этих пластин путем многократного повторения циклов оксидирования, травления, легирования, нанесения пленок и других операций для создания в приповерхностной области подложки ИС с требуемой топологией и структурой (включая межсоединения и контактные площадки);
3. сборка ИС и упаковка их в герметичный корпус. Достоинство планарной технологии состоит в том, что после завершения каждой технологической операции восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины. Это позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций.
Подложки обычно подбирают таким образом, чтобы их свойства позволяли получать пленку с необходимыми характеристиками. Во многих случаях необходимо, чтобы подложка не мешала обработке пленки или ее применению. В подложке должны отсутствовать дефекты, у нее должна бытьатомно-гладкаяповерхность. В целом можно отметить, что хотя большинство подложек достаточно хрупкие (например, стеклянные), но они обладают высокой твердостью, определенной стойкостью к воздействию механических и термических напряжений. Подложки из благородных металлов или полимерные подложки, как правило, обладают стойкостью к воздействию химических реагентов. Монокристаллические подложки, изготовленные определенным образом, используют для приготовления эпитаксиальных монокристаллических пленок и для изготовления целого ряда устройств (гетеропереходов, сверхрешеток и т.д.). Таким образом, свойства приготавливаемых пленок во многих случаях неразрывно связаны со свойствами подложек для них.